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ANSI/IEEE 691-2007 传输结构的基础设计和测试用指南

作者:标准资料网 时间:2024-05-30 00:36:59  浏览:8378   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:GuideforTransmissionStructureFoundationDesignandTesting
【原文标准名称】:传输结构的基础设计和测试用指南
【标准号】:ANSI/IEEE691-2007
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2008-03-04
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(US-ANSI)
【起草单位】:IEEE
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:支架;电线;设计;配线;基础;构架结构;格子形杆架;动力传输;测试;传输;传输线路
【英文主题词】:Anchors;Cords;Design;Distributionlines;Foundations;Framestructures;Latticetower;Powertransmission;Testing;Transmission;Transmissionlines
【摘要】:Thedesignoffoundationsforconventionaltransmissionlinestructures,whichincludelatticetowers,singleormultipleshaftpoles,H-framestructures,andanchorsforguyedstructuresispresentedinthisguide.
【中国标准分类号】:P62
【国际标准分类号】:93_020
【页数】:
【正文语种】:英语


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Product Code:SAE AMS5354
Title:Steel, Corrosion and Heat Resistant, Investment Castings, 13Cr - 2.0Ni - 3.0W, Hardened and Tempered
Issuing Committee:Ams F Corrosion Heat Resistant Alloys Committee
Scope:This specification covers a corrosion and moderate heat resistant steel in the form of investment castings.【英文标准名称】:Semiconductordevices-Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors(MOSFETs)
【原文标准名称】:半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
【标准号】:BSEN62417-2010
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2010-06-30
【实施或试行日期】:2010-06-30
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:覆层;降解;电气工程;电子设备及元件;电离;测量;测量技术;迁移;迁移(化学);金属氧化物场效应晶体管;氧化物;上升;半导体器件;硅;应力;温度;温升;试验;试验条件;阈值电压;晶体管;薄片
【英文主题词】:Coatings;Degradation;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Ionization;Measurement;Measuringtechniques;Migration;Migration(chemical);MOSFET;Oxides;Rise;Semiconductordevices;Silicon;Stress;Temperature;Temperaturerise;Testing;Testingconditions;Thresholdvoltage;Transistors;Wafers
【摘要】:Thispresentstandardprovidesawaferleveltestproceduretodeterminetheamountofpositivemobilechargeinoxidelayersinmetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors..Itisapplicabletobothactiveandparasiticfieldeffecttransistors.Themobilechargecancausedegradationofmicroelectronicdevices,e.g.byshiftingthethresholdvoltageofMOSFETsorbyinversionofthebaseinbipolartransistors.
【中国标准分类号】:L56
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:12P.;A4
【正文语种】:英语



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